USB 闪存盘性能测试

闪存 数量 控制器 连续读 连续写 4K 读 4K 写 备注
pcs×ch MB/s MB/s MiB/s MiB/s
K9F2G08U0B 1×1 UP19 BE 17.9 10.0 3.82 2.06
K9F2G08U0B 1×1 SC708-4 18.0 6.6 4.47 3.69
K9F2G08U0B 2×1 SC708-4 17.9 6.2 4.57 3.70
K9F2G08U0B 1×1 SM3251Q BB 17.5 11.0
K9F2G08U0B 2×1 SM3251Q BB 17.7 10.5 5.16 4.46
K9F4G08U0A 1×1 SM3251Q BA 19.9 11.4
K9F4G08U0A 1×1 UP19 BE 22.2 11.1 4.33 2.26
K9F4G08U0A 1×1 MW8209 10.5 6.3 4.02 2.06
K9F4G08U0A 1×1 UT165 A0A 23.6 11.7 4.62 0.82
K9G8G08U0M 1×1 SM3251Q BB 15.4 4.4 5.63 3.64
K9G8G08U0M 1×1 UP19 BE 13.9 4.2 1.96 1.71
K9G8G08U0M 1×1 SC708-t 16.7 4.2 4.90 1.39
K9WAG08U1B 1×1 SM3251Q BA 19.6 19.0 5.37 4.45
K9WAG08U1B 1×1 UP19 BE 21.7 17.8 3.40 2.79
K9WBG08U1M 1×1 UP19 BD 24.7 23.1 2.96 2.08
K9WBG08U1M 1×1 IS902C A3 16.7 17.2 3.55 3.66
K9WBG08U1M 1×2 IS902C A3 31.4 28.4 5.94 4.69
K9WBG08U1M 1×2 IS902C A3 34.0 35.5 19.32 6.29 Asus N61J USB3.0
K9GBG08U0A 1×1 UP19 BE 18.7 10.2 3.55 1.15
K9GBG08U0A 1×1 SM3257Q AA 18.9 11.1 3.46 3.54
K9GBG08U0A 2×1 SM3257Q AA 18.6 18.3 3.97 3.44
MT29F32G08CBABA 1×1 AU6985 18.5 8.0  4.62 1.90 uPD: IM32GL63BI
MT29F64G08CBAAA 1×1 UP19 BE 23.8 10.3 3.81 1.21
HY27UU08AG5A 1×1 FC8508B 14.8 2.2
HY27UU08AG5A 1×2 FC8508B 24.0 4.0
HY27UU08AG5A 1×1 UP19 BE 19.7 7.6
HY27UU08AG5A 2×1 UP19 BE 19.7 7.5 2.51 1.97
H27UDG8V5ATR 1×1 SM3257Q AA 16.6 13.7 3.68 2.93
H27UDG8V5ATR 1×1 UP19 BE 24.5 13.2 3.98 1.27
H27UDG8V5ATR 1×1 IS902E A1 28.9 16.4 3.69 4.41
H27UDG8V5ATR 1×1 IS902E A1 32.6 20.9 13.93 7.79 Asus N61J USB3.0
JS29F16B08CAME1 1×1 UP19 BE 24.6 14.9 4.45 1.24
JS29F16B08CAME1 1×1 SM3257Q AA 24.1 18.7 4.60 2.84
JS29F16B08JAMD2 1×1 UP19 BE 23.4 12.8 3.85 1.83
JS29F16B08JAMD2 1×1 SM3257Q AA 18.1 12.6 4.38 3.58
JS29F16B08JAMD2 1×1 IS902C A3 25.4 27.8 4.99 4.53
JS29F16B08JAMDB 1×1 IS902E A1 34.1 25.1 6.57 5.78
JS29F16B08JAMDB 1×1 IS902E A1 43.6 34.7 16.00 10.00 Asus N61J USB3.0
JS29F16G08CANC1 1×1 UP19 BE 24.8 25.0 2.91 2.07
JS29F16G08CANC1 1×1 SM3251Q BB 19.4 20.6 5.24 2.65
JS29F64G08AATE1 1×1 SC708-t 9.8 2.8
JS29F64G08AATE1 1×1 UP21 BC 18.1 4.8 3.60 1.00
JS29F64G08CAMDA 1×1 SM3251Q BB 17.6 6.7 6.32 1.45
JS29F64G08CAMDA 1×1 UP19 BE 23.3 12.7
备用 P×C 0.0 0.0 0.00 0.00

备注:

  1. G 、M 、K 为十进制单位( 1G = 1,000M ,1M = 1,000K ,1K = 1000 ),Gi 、Mi 、Ki 为二进制单位( 1Gi = 1,024Mi ,1Mi = 1,024Ki ,1Ki = 1024 )。
  2. 大写的 B 为字节,小写的 b 为比特,1B = 8b 。
  3. 未经说明,测试端口为 Intel HM55 上的 USB2.0 接口。
  4. 未经说明,对于多片或者多片选闪存 Interleave 已启用。
  5. 配置为每通道片数 × 通道数。
  6. 连续读写性能由 Linux 下的 dd 对设备裸文件进行操作得到,4K 读写由 Windows 下的 ATTO Benchmark 测得。
  7. 测试时未开启任何加速软件,如 AI Turbo 等。

闪存规格摘要:

工艺格式:制程( nm ),代号(如果有);
组织格式:Plane × Die × CE (面/管芯×管芯/片选×片选数);
接口格式:标准或类型,DDR 支持;
寿命格式:擦写次数(千次),数据保持(年)。

大小单位均为二进制单位( 1G = 1,024M ,1M = 1,024K ,1K = 1024 ),大写的 B 为字节,小写的 b 为比特,1B = 8b 。
TBD = 待定,DK = 未知。

型号
厂商
类型 工艺 组织 容量
大小
编程

大小
擦除
接口 寿命 随机
读取
顺序
读取
P×D×C B B
us
B
us
K
Y
us ns
K9F1G08U0M
Samsung
SLC 120nm 1×1×1 128M 2K
300
128K
2000
100
10
25 50
K9F2G08U0B
Samsung
SLC 59nm 2×1×1 256M 2K
200
128K
1500
100
10
25 25
K9F4G08U0A
Samsung
SLC 63nm 2×1×1 512M 2K
200
128K
1500
100
10
25 25
K9WAG08U1B
Samsung
SLC 59nm 2×2×2 2G 2K
200
128K
1500
100
10
25 25
K9WBG08U1M
Samsung
SLC 51nm 2×2×2 4G 4K
200
256K
1500
100
10
25 25
K9G8G08U0M
Samsung
MLC 60nm 2×1×1 1G 2K
800
256K
1500
5
10
60 30
K9GAG08U0M
Samsung
MLC 51nm 2×1×1 2G 4K
800
512K
1500
TBD
10
60 25
K9GBG08U0A
Samsung
MLC 27nm 2×1×1 4G 8K
1300
1M
1500
Toggle
DDR
300 25
H27UDG8V5ATR
Hynix
MLC 32nm
F32
DK×2×2 16G 8K
DK
2M
DK
HY27UT084G2M
Hynix
MLC 90nm DK×1×1 512M 2K
DK
HY27UU088G5M
Hynix
MLC 90nm DK×1×2 1G 2K
DK
HY27UU08AG5A
Hynix
MLC 57nm DK×1×2 2G 2K
DK
JS29F16B08CAME1
Intel
MLC 25nm
L74A
2×1×2 16G 8K
1200
2M
3000
ONFI2.2
DK
5
DK
50 20
JS29F16B08JAMD2
Intel
MLC 34nm
L63A
DK×1×4 16G 4K
DK
JS29F16B08JAMDB
Intel
MLC 34nm
L63B
DK×1×4 16G 4K
DK
JS29F16G08CANC1
Intel
SLC 50nm
SD58
2×1×1 2G 4K
250
256K
1500
ONFI1.0
SDR
100
10
25 20
JS29F16G08AAMC1
Intel
MLC 50nm DK×1×1 2G 4K
DK
JS29F64G08CAMDA
Intel
MLC 34nm
L63B
DK×1×2 8G 4K
DK
JS29F64G08AATE1
Intel
TLC 25nm
B74A
DK×1×2 8G 8K
DK
3M
DK
MT29F32G08CBABA
Micron
MLC 34nm
L63B
2×1×1 4G 4K
900
1M
3000
ONFI2.1
DDR
5
10
50 25
MT29F64G08CBAAA
Micron
MLC 25nm
L74A
2×1×1 8G 8K
1300
2M
3800
ONFI2.2
DDR
3
DK
75 20
MT29F8G08MAA
Micron
MLC 72nm 2×1×1 1G 2K
650
256K
2000
Async
SDR
10
DK
50 25
TC58NVG3D4CTA00
TOSHIBA
MLC 70nm DK×1×1 1G 2K
DK
256K
DK
TC58NVG4D2FTA00
TOSHIBA
MLC
ABL
32nm 2×1×1 2G 8K
1600
1M
4000
Sync
SDR
250 25
备用
M
xLC
ABL
nm
CODE
P×D×C 0G 0K
0
0M
0
ONFI0.0
DDR
3
10
0 0

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