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温氏磁盘机性能测试

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备注：

  1. G 、M 、K 为十进制单位（ 1G = 1,000M ，1M = 1,000K ，1K = 1000 ），Gi 、Mi 、Ki 为二进制单位（ 1Gi = 1,024Mi ，1Mi = 1,024Ki ，1Ki = 1024 ）。
  2. 大写的 B 为字节，小写的 b 为比特，1B = 8b 。
  3. 未经说明，测试端口为 Intel HM55 上的 SATA 3Gbps 接口。
  4. 测试软件为 Linux 下的 palimpsest ，测试对象仅限机械式硬盘。
测试截图链接 品牌
型号		 尺寸
容量		 转速
缓存		 固件版本
接口
TOSHIBA
MK3265GSX		 2.5′
320GB		 5400rpm
8MiB		 GJ002H
SATA 3Gbps
Seagate
ST9750420AS		 2.5′
750GB		 7200rpm
16MiB		 0001SDM5
SATA 3Gbps
HITACHI
HTS545032B9A300		 2.5′
350GB		 5400rpm
8MiB		 PB3OC60F
SATA 3Gbps
Seagate
ST3120026AS		 3.5′
120GB		 7200rpm
8MiB		 3.18
SATA 1.5Gbps
 ST9160827AS Seagate
ST9160827AS		 2.5′
160GB		 5400rpm
8MiB		 3.AAA
SATA 1.5Gbps
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USB 闪存盘性能测试

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闪存 数量 控制器 连续读 连续写 4K 读 4K 写 备注
pcs×ch MB/s MB/s MiB/s MiB/s
K9F2G08U0B 1×1 UP19 BE 17.9 10.0 3.82 2.06
K9F2G08U0B 1×1 SC708-4 18.0 6.6 4.47 3.69
K9F2G08U0B 2×1 SC708-4 17.9 6.2 4.57 3.70
K9F2G08U0B 1×1 SM3251Q BB 17.5 11.0
K9F2G08U0B 2×1 SM3251Q BB 17.7 10.5 5.16 4.46
K9F4G08U0A 1×1 SM3251Q BA 19.9 11.4
K9F4G08U0A 1×1 UP19 BE 22.2 11.1 4.33 2.26
K9F4G08U0A 1×1 MW8209 10.5 6.3 4.02 2.06
K9F4G08U0A 1×1 UT165 A0A 23.6 11.7 4.62 0.82
K9G8G08U0M 1×1 SM3251Q BB 15.4 4.4 5.63 3.64
K9G8G08U0M 1×1 UP19 BE 13.9 4.2 1.96 1.71
K9G8G08U0M 1×1 SC708-t 16.7 4.2 4.90 1.39
K9WAG08U1B 1×1 SM3251Q BA 19.6 19.0 5.37 4.45
K9WAG08U1B 1×1 UP19 BE 21.7 17.8 3.40 2.79
K9WBG08U1M 1×1 UP19 BD 24.7 23.1 2.96 2.08
K9WBG08U1M 1×1 IS902C A3 16.7 17.2 3.55 3.66
K9WBG08U1M 1×2 IS902C A3 31.4 28.4 5.94 4.69
K9WBG08U1M 1×2 IS902C A3 34.0 35.5 19.32 6.29 Asus N61J USB3.0
K9GBG08U0A 1×1 UP19 BE 18.7 10.2 3.55 1.15
K9GBG08U0A 1×1 SM3257Q AA 18.9 11.1 3.46 3.54
K9GBG08U0A 2×1 SM3257Q AA 18.6 18.3 3.97 3.44
MT29F32G08CBABA 1×1 AU6985 18.5 8.0  4.62 1.90 uPD: IM32GL63BI
MT29F64G08CBAAA 1×1 UP19 BE 23.8 10.3 3.81 1.21
HY27UU08AG5A 1×1 FC8508B 14.8 2.2
HY27UU08AG5A 1×2 FC8508B 24.0 4.0
HY27UU08AG5A 1×1 UP19 BE 19.7 7.6
HY27UU08AG5A 2×1 UP19 BE 19.7 7.5 2.51 1.97
H27UDG8V5ATR 1×1 SM3257Q AA 16.6 13.7 3.68 2.93
H27UDG8V5ATR 1×1 UP19 BE 24.5 13.2 3.98 1.27
H27UDG8V5ATR 1×1 IS902E A1 28.9 16.4 3.69 4.41
H27UDG8V5ATR 1×1 IS902E A1 32.6 20.9 13.93 7.79 Asus N61J USB3.0
JS29F16B08CAME1 1×1 UP19 BE 24.6 14.9 4.45 1.24
JS29F16B08CAME1 1×1 SM3257Q AA 24.1 18.7 4.60 2.84
JS29F16B08JAMD2 1×1 UP19 BE 23.4 12.8 3.85 1.83
JS29F16B08JAMD2 1×1 SM3257Q AA 18.1 12.6 4.38 3.58
JS29F16B08JAMD2 1×1 IS902C A3 25.4 27.8 4.99 4.53
JS29F16B08JAMDB 1×1 IS902E A1 34.1 25.1 6.57 5.78
JS29F16B08JAMDB 1×1 IS902E A1 43.6 34.7 16.00 10.00 Asus N61J USB3.0
JS29F16G08CANC1 1×1 UP19 BE 24.8 25.0 2.91 2.07
JS29F16G08CANC1 1×1 SM3251Q BB 19.4 20.6 5.24 2.65
JS29F64G08AATE1 1×1 SC708-t 9.8 2.8
JS29F64G08AATE1 1×1 UP21 BC 18.1 4.8 3.60 1.00
JS29F64G08CAMDA 1×1 SM3251Q BB 17.6 6.7 6.32 1.45
JS29F64G08CAMDA 1×1 UP19 BE 23.3 12.7
备用 P×C 0.0 0.0 0.00 0.00

备注：

  1. G 、M 、K 为十进制单位（ 1G = 1,000M ，1M = 1,000K ，1K = 1000 ），Gi 、Mi 、Ki 为二进制单位（ 1Gi = 1,024Mi ，1Mi = 1,024Ki ，1Ki = 1024 ）。
  2. 大写的 B 为字节，小写的 b 为比特，1B = 8b 。
  3. 未经说明，测试端口为 Intel HM55 上的 USB2.0 接口。
  4. 未经说明，对于多片或者多片选闪存 Interleave 已启用。
  5. 配置为每通道片数 × 通道数。
  6. 连续读写性能由 Linux 下的 dd 对设备裸文件进行操作得到，4K 读写由 Windows 下的 ATTO Benchmark 测得。
  7. 测试时未开启任何加速软件，如 AI Turbo 等。

闪存规格摘要：

工艺格式：制程（ nm ），代号（如果有）；
组织格式：Plane × Die × CE （面/管芯×管芯/片选×片选数）；
接口格式：标准或类型，DDR 支持；
寿命格式：擦写次数（千次），数据保持（年）。

大小单位均为二进制单位（ 1G = 1,024M ，1M = 1,024K ，1K = 1024 ），大写的 B 为字节，小写的 b 为比特，1B = 8b 。
TBD = 待定，DK = 未知。

型号
厂商		 类型 工艺 组织 容量 页
大小
编程		 块
大小
擦除		 接口 寿命 随机
读取		 顺序
读取
P×D×C B B
us		 B
us		 K
Y		 us ns
K9F1G08U0M
Samsung		 SLC 120nm 1×1×1 128M 2K
300		 128K
2000		 100
10		 25 50
K9F2G08U0B
Samsung		 SLC 59nm 2×1×1 256M 2K
200		 128K
1500		 100
10		 25 25
K9F4G08U0A
Samsung		 SLC 63nm 2×1×1 512M 2K
200		 128K
1500		 100
10		 25 25
K9WAG08U1B
Samsung		 SLC 59nm 2×2×2 2G 2K
200		 128K
1500		 100
10		 25 25
K9WBG08U1M
Samsung		 SLC 51nm 2×2×2 4G 4K
200		 256K
1500		 100
10		 25 25
K9G8G08U0M
Samsung		 MLC 60nm 2×1×1 1G 2K
800		 256K
1500		 5
10		 60 30
K9GAG08U0M
Samsung		 MLC 51nm 2×1×1 2G 4K
800		 512K
1500		 TBD
10		 60 25
K9GBG08U0A
Samsung		 MLC 27nm 2×1×1 4G 8K
1300		 1M
1500		 Toggle
DDR		 300 25
H27UDG8V5ATR
Hynix		 MLC 32nm
F32		 DK×2×2 16G 8K
DK		 2M
DK
HY27UT084G2M
Hynix		 MLC 90nm DK×1×1 512M 2K
DK
HY27UU088G5M
Hynix		 MLC 90nm DK×1×2 1G 2K
DK
HY27UU08AG5A
Hynix		 MLC 57nm DK×1×2 2G 2K
DK
JS29F16B08CAME1
Intel		 MLC 25nm
L74A		 2×1×2 16G 8K
1200		 2M
3000		 ONFI2.2
DK		 5
DK		 50 20
JS29F16B08JAMD2
Intel		 MLC 34nm
L63A		 DK×1×4 16G 4K
DK
JS29F16B08JAMDB
Intel		 MLC 34nm
L63B		 DK×1×4 16G 4K
DK
JS29F16G08CANC1
Intel		 SLC 50nm
SD58		 2×1×1 2G 4K
250		 256K
1500		 ONFI1.0
SDR		 100
10		 25 20
JS29F16G08AAMC1
Intel		 MLC 50nm DK×1×1 2G 4K
DK
JS29F64G08CAMDA
Intel		 MLC 34nm
L63B		 DK×1×2 8G 4K
DK
JS29F64G08AATE1
Intel		 TLC 25nm
B74A		 DK×1×2 8G 8K
DK		 3M
DK
MT29F32G08CBABA
Micron		 MLC 34nm
L63B		 2×1×1 4G 4K
900		 1M
3000		 ONFI2.1
DDR		 5
10		 50 25
MT29F64G08CBAAA
Micron		 MLC 25nm
L74A		 2×1×1 8G 8K
1300		 2M
3800		 ONFI2.2
DDR		 3
DK		 75 20
MT29F8G08MAA
Micron		 MLC 72nm 2×1×1 1G 2K
650		 256K
2000		 Async
SDR		 10
DK		 50 25
TC58NVG3D4CTA00
TOSHIBA		 MLC 70nm DK×1×1 1G 2K
DK		 256K
DK
TC58NVG4D2FTA00
TOSHIBA		 MLC
ABL		 32nm 2×1×1 2G 8K
1600		 1M
4000		 Sync
SDR		 250 25
备用
M		 xLC
ABL		 nm
CODE		 P×D×C 0G 0K
0		 0M
0		 ONFI0.0
DDR		 3
10		 0 0
拆解

已成往事的写保护 U 盘一枚：爱国者迷你王行业特供型

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这玩意已经记不清是什么年代的货了，反正当时读取达到 10MB/s 的闪存盘已经算是速度非常惊人了，另外写保护功能在今天对付打印店这样的毒床也是非常好用的。只可惜一时手贱试刀口烙铁头把板子弄坏了。

壳子上印着行业特供型（其实还附送了爱国者产品的 catalog ），有激光刻蚀的序列号。外观图找不到了。

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制作、拆解

半路捡的读卡器和有关的蛋疼之旅

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今天下午做完实验在学校西边打发时间，打算稍微晚点去西边的食堂吃顿好的（好不容易逮到个机会，我容易么我），结果在西十一舍旁边吃沙冰的时候发现草丛里有个东西（其实是 @siemonday 发现的…… 他丢过一个一模一样的玩意），捡起来一看是 SSK 那个很流行的T恤 TF 读卡器 SCRS-052 （吐槽下 fcitx-sunpinyin ，里面没“恤”字），绿色的，好坏不明，于是带回寝室研究一番（当然去西二吃饭先，好不容易等到今天的啊）。正好，一直想买个读卡器板子把 SD 卡跟 TF 卡焊在上面玩（=。=）。

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坏掉的 Acer AS4741G 电池拆解与分析

一条评论

用 4741 的人大概都知道，4741 的电池只有一年的保修期。非常不凑巧，我那争气的电池在刚刚过保没多久就开始闹情绪了，具体表现为用了超过一半电量之后再充电就必然会过热，而且非常地烫手。无奈之下只好拿国产 OEM 电池换掉了。好在目前国产 OEM 电池情绪稳定，除了容量掉到了 85% 以外没啥大的毛病。

这个电池组的型号为 AS10D31 ，外观无真相，参数为 10.8V 4400mAh 48Wh （ ACPI 里面是 47.5Wh ），据传是三洋代工的。损坏时容量为设计值的 81% 左右。

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入手台电 X19HD

2条评论

在 M6TS 坏掉以后我似乎已经没有啥好的选择了，既不想多花钱又不想音质太差。X19HD 似乎是 ￥200 以内性价比最好的机型了，而且 8GB 的内置存储也显得很充裕，于是就决定买这个了。

今天 X19HD 刚到手，试了一下，发现确实如网友所说，操作界面很不友好，每次联机之后若不迅速开机必会死机（这是神马毛病），容易撞机（毕竟这厮还有俩兄弟，X19 跟 X19+ ），除此之外没有明显的缺点。如果能有个 TF 卡槽就太好了。操作界面问题的具体体现就在于目录播放极度蛋疼。

在一通乱调之后发现这玩意音质还可以，虽然不知道哪里缺了一块但是比市面上其它不带独立 codec 的机型要好，而且无明显底噪。机器很省电，充一点电可以听很久很久……

这个机型固件的 1.00 版本是 2011.10.26 发布的，所以应该是很新的机种。

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告别魅族 MiniPlayer M6TS

一条评论

随着 M6TS 的坏掉和台电 X19HD 的到来，我又回归 SigmaTel 了。这同时也标志着一个时代的结束，我手上已经没有独立 codec 的音频设备了。

这台播放器死在按键上，很突然的就按塌了，整个按键板陷下去卡住了。虽然拆开可以弄好，但是再按两下就又废掉了。鉴于折腾零件很麻烦，干脆让这台兢兢业业工作了将近三年的机器寿终正寝好了。

废话不多说，现在把 M6TS 的有关照片奉上。

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